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中国团队在芯片领域获重要突破
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新型铁电隧穿结开关电阻差1900万倍，可开关超1000亿次。
热点原文摘录
"14日，中国科学院半导体研究所等团队研制出新型“铁电隧穿结”，它利用原子层间仅埃米级的微小滑移，就能让开关电阻相差约1900万倍，还能反复开关超过1000亿次，为开发更省电、更耐用的存储和存算一体芯片提供新路径。" 摘自公开热点词条简介 · 查看公开来源
01
核心事实
9月14日中国科学院半导体研究所等团队研制出新型"铁电隧穿结"，利用原子层间埃米级滑移使开关电阻相差约1900万倍，可反复开关超过1000亿次。
02
为什么重要
- 1900万倍的开关比决定读取信号的可靠性，远高于常规存储器件
- 1000亿次的耐久度，是该结构能否用于实际产品的关键门槛
03
深层启示
这两个数字里更要紧的是1000亿次——开关比高的方案不少，倒在寿命上的更多。存储器件最终能不能用，看的是它在真实读写频率下能撑多久。当然从实验室结构到可量产工艺还有很长的路，材料均匀性、良率、与现有产线的兼容性，每一关都可能卡住。
开关比高的方案不少，倒在寿命上的更多。
—— 观察者 · 本篇金句
相关实体中国科学院半导体研究所